Lyes BEN HAMMOU - Admis au titre de docteur

Identifiant ORCID 0009000201677390

Doctorat Electronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes

Thèse soutenue le 11 décembre 2025 - Université de Lille

Ecole doctorale : ENGSYS Sciences de l’ingénierie et des systèmes

Sujet : Étude de la linéarité et de la fiabilité de composants HEMT GaN pour des applications en gamme d’ondes millimétriques

Mots-clés de la thèse : GaN HEMTs,Fiabilité,Linéarité,Ondes millémtriques,Effets de pièges,Load-pull,

Direction de thèse : Farid MEDJDOUB

Co-direction de thèse : Katir ZIOUCHE

Unité de recherche : Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie UMR 8520 - Villeneuve d'Ascq

Production scientifique

- Lyes Ben Hammou; François Grandpierron; Elodie Carneiro; Katir Ziouche; Etienne Okada; Farid Medjdoub 2025. Effect of High Temperature RF Stress on the Trapping Behavior of Carbon Doped AlN/GaN/AlGaN HEMTs IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2025 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Monterey, CA, USA, 2025, pp. 1-8, DOI:10.1109/IRPS48204.2025.10983377
- Lyes Ben Hammou, François Grandpierron, Elodie Carneiro, Katir Ziouche, Etienne Okada, Farid medjdoub 2025. On the origin and suppression of parasitic channel in AlN/GaN/AlGaN back barrier RF devices APL Electronic Devices, 1 (4): 046101, https://doi.org/10.1063/5.0288132
- François Grandpierron, Elodie Carneiro, Lyes Ben-Hammou, Jeong-Sun Moon, Farid Medjdoub 2024. Understanding and Quantifying the Benefit of Graded Aluminum Gallium Nitride Channel High-Electron Mobility Transistors Micromachines, , https://hal.science/hal-04772530v1
- Kathia Harrouche, Lyes Ben-Hammou, François Grandpierron, Ajay Shanbhag, Etienne Okada, F Medjdoub 2023. Epi-design optimization in AlN/GaN HEMTs for superior drain bias operation and reduced trapping effects , , https://hal.science/hal-04436421v1
- Kathia Harrouche, Srisaran Venkatachalam, Lyes Ben-Hammou, François Grandpierron, Etienne Okada, Farid Medjdoub 2023. Low Trapping Effects and High Electron Confinement in Short AlN/GaN-on-SiC HEMTs by Means of a Thin AlGaN Back Barrier Micromachines, 14, pp.291, https://hal.science/hal-03952213v1
- Kathia Harrouche, François Grandpierron, Lyes Ben-Hammou, Etienne Okada, F Medjdoub 2023. Pushing Q-band power performances by means of buffer engineering in AlN-GaN HEMTs , , https://hal.science/hal-04438176v1
- Elodie Carneiro, Stéphanie Rennesson, Sebastian Tamariz, Lyes Ben Hammou, Kathia Harrouche, Etienne Okada, Fabrice Semond, Farid Medjdoub 2023. [Award] Sub-micron thick AlN/GaN-on-Si HEMTs grown by MBE with reduced trapping effects and superior blocking voltage for RF applications , , https://hal.science/hal-04397317v1
- Kathia Harrouche *, Srisaran Venkatachalam, Lyes Ben-Hammou, François Grandpierron, Etienne Okada and Farid Medjdoub 2022. Low Trapping Effects and High Electron Confinement in Short AlN/GaN-On-SiC HEMTs by Means of a Thin AlGaN Back Barrier Micromachines, Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications, Volume III, https://doi.org/10.3390/mi14020291

Dernière mise à jour le 22 octobre 2025