Leonardo HEITICH BRENDLER - Admis au titre de docteur

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Doctorat Electronique

Thèse soutenue le 15 décembre 2023 - Université de Bordeaux

Ecole doctorale : Sciences Physiques et de l'Ingénieur

Sujet : Durcissement d’un circuit mémoire à Multiple-Cell Upsets

Mots-clés de la thèse : Cellule de Détection,Multiple-Cell Upsets,Durcissement par rayonnement,Single-Event Upsets,Erreurs logicielles,SRAM,

Direction de thèse : François RIVET

Co-direction de thèse : Ricardo REIS

Co-direction de thèse : Yann DEVAL

Co-encadrement de thèse : Hervé LAPUYADE

Cotutelle UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL BRESIL
Descriptif : - 2020: année 0, Brésil / cours - 2021: année 1, France / arrivée 1er mars au laboratoire IMS / contrat de 12 mois CDD ingénieur - 2022: année 2, France / Brésil: suivant avancement du projet et financement, prolongement du séjour en France de 6 à 12 mois - 2023: année 3, Brésil: fin des travaux, rédaction

Unité de recherche : Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système UMR 5218 - Talence
Intitulé de l'équipe : CAS - Circuits et systèmes

Master - Leonardo Heitich Brendler, Circuit-Level Design Impact on Variability and Soft Errors Robustness

obtenu en juillet 2020 - Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Option : Microelectronics

Dernière mise à jour le 8 novembre 2023