Clémentine PIOTROWICZ - Admise au titre de docteur

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Doctorat Electronique

Thèse soutenue le 22 novembre 2024 - Université de Bordeaux

Ecole doctorale : Sciences Physiques et de l'Ingénieur

Sujet : Etude de l'influence de l'architecture des MOS-HEMT GaN de puissance à grille enterrée sur les propriétés physiques et les performances électriques des composants.

Mots-clés de la thèse : Transistor,MOS-HEMT,Matériaux,Architecture,Caractérisation,Simulation,

Direction de thèse : Nathalie MALBERT SAYSSET

Co-encadrement de thèse : Blend Mohamad

Unité de recherche : Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système UMR 5218 - Talence

Ingénieur - Diplome d'ingénieur en matériaux chimie

obtenu en septembre 2021 - ENSICAEN
Option : MATERIAUX ENERGIE

Production scientifique

- C.Piotrowicz*+, B.Mohamad*, B.Rrustemi*, N.Malbert+, M.-A.Jaud*, W.Vandendaele*, M.Charles*, R.Gwoziecki* 2022. A Comprehensive Analysis of AlN spacer and AlGaN n-doping effects on the 2DEG Resistance in AlGaN/AlN/GaN Heterostructures Solid State Electronics., -, https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108322
- B. Rrustemi, C. Piotrowicz, M.-A. Jaud, F. Triozon, W. Vandendaele, B. Mohamad, R. Gwoziecki, G. Ghibaudo 2022. Effect of doping on Al2O3/GaN MOS capacitance Solid states electronics, -, https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108356
- Rrustemi, Bledion ; Jaud, Marie-Anne ; Triozon, François ; Piotrowicz, Clémentine ; Vandendaele, William ; Leroux, Charles ; Le Royer, Cyrille ; Biscarrat, Jérôme ; Ghibaudo, Gérard 2021. Investigation on interface charges in SiN/AlxGa1−xN/GaN heterostructures by analyzing the gate-to-channel capacitance and the drain current behaviors Journal of Applied Physics, Volume 130, Issue 10, 10.1063/5.0058019
- C. Piotrowicz, B. Mohamad, N. Malbert , M.-A. Jaud , W. Vandendaele , M. Charles , R. Gwoziecki 2023. Influence of AlGaN n-type doping and AlN thickness on the two-dimensional electron gas density (ns) and resistance (R2DEG) Solid-State Electronics, Volume 201, https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110123000072?via%3Dihub
- Clémentine Piotrowicz, B. Mohamad, P. Fernandes Paes Pinto Rocha, S. Ruel, P. Pimenta-Barros, M.-A. Jaud, L. Vauche, N. Malbert, C. Le Royer 2023. Impact of Gate Morphology on Electrical Performances of Recessed GaN-on-Si MOS channel-HEMT for Different Channel Orientations ISPSD, -, https://ispsd2023.com/technical-program/
- B. Mohamad; C. Le Royer; F. Rigaud-Minet; C. Piotrowicz; P. Fernandes Paes Pinto Rocha; C. Leurquin; W. Vandendaele; R. Escoffier;J. Buckley;S. Bécu; J. Biscarrat; R. Gwoziecki 2023. Deep Insights into Recessed Gate MOS-HEMT Technology for Power Applications IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), -, 10.1109/EDTM55494.2023.10102971
- C. Piotrowicz, B. Mohamad, N. Malbert, S. Bécu, S. Ruel, C. Le Royer; 2024. Impact of the recessed gate depth on the GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor performances: New insights on mobility extraction Journal of apply physics , Volume 135, Issue 17 , https://doi.org/10.1063/5.0205840
- Clémentine Piotrowicz, Nathalie Malbert, Simona Torrengo, Aurélien Olivier, Blend Mohamad. 2024. Demonstration of Ultra Low 2DEG Sheet Resistance Using Al-Enriched AlGaN Layer in the AlXGa1-XN/AlN/GaN Heterojunction ESSERC , _, _

Dernière mise à jour le 24 septembre 2024