Thomas PALLARO - Thèse en cours

Adresse Professionnelle
351 cous de la libération 33405
TALENCE FRANCE
Identifiant Hal https://hal.archives-ouvertes.fr/search/index/?q=%2A&authIdHal_s=Thomas Pallaro

Projet professionnel :

enseignant-chercheur, enseignant du supérieur
chercheur en milieu académique
chercheur en entreprise, R&D du secteur privé

Techniques maîtrisées :
-Utilisation d'un banc Load-Pull -Utilisation du logiciel ADS -Connaissances des semi-conducteurs GaN -Utilisation du logiciel IC/CAP -Utilisation de bancs de mesure sous pointes -Programmation en langage Python
Compétences :
-Rédaction de rapports -Présentation de travaux -Pédagogie

Doctorat Electronique

- Université de Bordeaux

Ecole doctorale : Sciences Physiques et de l'Ingénieur

Sujet : Aire de sécurité de fonctionnement dynamique sous contraintes RF de HEMTs GaN: Méthodologie et developpement d'un banc de test RF

Mots-clés de la thèse : Transistor GaN RF,caractérisation électrique RF,fiabilité,modélisation grand signaux,

Direction de thèse : Nathalie MALBERT SAYSSET

Co-direction de thèse : Tristan DUBOIS

Unité de recherche : Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système UMR 5218 - Talence
Intitulé de l'équipe : Évaluation des technologies hyperfréquences (III-V)

Master - Ingenieurie des Systemes Complexes

obtenu en 2021 - Université de Bordeaux
Option : Systemes Electroniques

Production scientifique

- Thomas Pallaro, Tristan Dubois, Magali De Matos, Christophe Chang, Nathalie Labat, Benoit Lambert, Nathalie Malbert 2024. DC and RF aging test of AlGaN/GaN HEMT technology on SiC substrate ESREF, 4, .
- Thomas Pallaro, Tristan Dubois, Magali De Matos, Christophe Chang, Nathalie Labat, Benoit Lambert, Nathalie Malbert 2024. Étude de la robustesse en régime DC et RF d’une technologie HEMTs AlGaNGaN sur substrat SiC Journée nationales microondes, 4, .

Dernière mise à jour le 13 janvier 2025