Nasri SAID - Soutenance en cours de traitement

Adresse Professionnelle
351 Cours de la Libération 33405
TALENCE FRANCE
nasri.said@u-bordeaux.fr

Projet professionnel :

Enseignement et recherche, enseignement supérieur
Recherche en milieu académique
Recherche en entreprise, R&D du secteur privé
enseignant-chercheur, enseignant du supérieur
chercheur en entreprise, R&D du secteur privé

Techniques maîtrisées :
-Maitrise des mesures I-V en mode statique et pulsée. -Maitrise du logiciel ICCAP de Keysigth pour l'automatisation des mesures et le sauvegarde des données. -Amélioration du niveau de maitrise de Python pour les analyses de données -Maitrise des mesures de paramètres S et analyses pour construction de modèle petit signal sur ADS (logiciel de Keysight). - Contrôle de différent instrument de mesure en utilisant Python afin de monter un banc de mesure complet qui pourra exercer des mesures de robustesse et fiabilité avec des mesures de reprise pour le suivi de l'évolution de dégradation du Dispositif sous test ( step stress DC et RF) -Maitrise des mesures de robustesse des composants HEMT GaN en mode DC et RF et
Compétences :
Travail en équipe, rigueur, prendre soin des détails et forte capacité d'analyse

Expérience professionnelle :
CDD du 15 novembre 2024 au 1 janvier 2026
Domaine d'activité : Fiabilité des composants GaN pour l'électronique de puissance
Type de contrat : Entreprises
Fonction exercée : Ingénieur de Recherche
Secteur d'emploi : Recherche-développement en sciences physiques et naturelles
Unité de recherche ou entreprise : IRT Saint Exupéry
Toulouse - FRANCE

Doctorat Electronique

Thèse soutenue le 13 décembre 2024 - Université de Bordeaux

Ecole doctorale : Sciences Physiques et de l'Ingénieur

Sujet : Evaluation de la robustesse des technologies HEMTs GaN à barrière AlN ultrafine pour l'amplification de puissance au-delà de la bande Ka.

Mots-clés de la thèse : HEMT AlN/GaN,Fiabilité,Robustesse en mode DC,Robustesse en mode RF,Modélisation non linéaire,Caractérisation électrique,

Direction de thèse : Nathalie MALBERT SAYSSET

Co-direction de thèse : Jean-Guy TARTARIN

Unité de recherche : Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système UMR 5218 - Talence
Intitulé de l'équipe : Évaluation des technologies hyperfréquences (III-V)

Master - Master Electronique, énergie électricité, automatique

obtenu en septembre 2021 - Université Toulouse-III-Paul-Sabatier
Option : M2 électronique des systèmes embarqués et télécommunications

Production scientifique

- Nasri Said, Kathia Harrouche, Farid Medjdoub, Nathalie Labat, Jean-Guy Tartarin, Nathalie Malbert 2023. Thermal and statistical analysis of various AlN/GaN HEMT geometries for millimeter Wave applications IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2023), 5, https://ieeexplore.ieee.org/document/10117807
- N. Said , K. Harrouche , F. Medjdoub , N. Labat , J.G. Tartarin , N. Malbert 2023. Role of AlGaN back-barrier in enhancing the robustness of ultra-thin AlN/ GaN HEMT for mmWave applications Microelectronics Reliability , 12 , https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002627142300210X

Langues Vivantes : Anglais C1 - Avancé - Français C2 - Courant - Arabe C2 - Maternel

Dernière mise à jour le 31 octobre 2024