Hadhemi LAKHDHAR - Admise au titre de docteur

Doctorat Electronique

Thèse soutenue le 20 décembre 2017 - Université de Bordeaux

Ecole doctorale : Sciences Physiques et de l'Ingénieur

Sujet : Evaluation de la fiabilité des HEMTs GaN sur substrat silicium à grille ultra-courte dédiés aux applications de puissance à f > 40 GHz

Mots-clés de la thèse : Vieillissement accéléré DC,HEMT AlGaN/GaN,Fiabilité,Aire de sécurité de fonctionnement,Grille ultra-courte,

Direction de thèse : Nathalie MALBERT SAYSSET

Co-direction de thèse : Nathalie LABAT

Unité de recherche : Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système UMR 5218 - Talence
Intitulé de l'équipe : Évaluation des technologies hyperfréquences (III-V)

Ingénieur - Génie électrique

obtenu en juin 2013 - Université de Tunis - El Manar
Option : Microélectronique
Langues Vivantes : Allemand B1 - Intermédiaire - Anglais C2 - Courant - Français C2 - Courant - Arabe C2 - Maternel

Dernière mise à jour le 22 novembre 2017